失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測 · 超聲波掃描(SAT檢測)
- 電性檢測
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測試 · 點(diǎn)針信號量測 · 靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測 · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開蓋測試 · 芯片去層 · 切片測試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競爭力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
Thermal EMMI(InSb)
設(shè)備工作原理:Thermal EMMI是利用InSb材質(zhì)的偵測器,接收故障點(diǎn)通電后產(chǎn)生的熱輻射分布,藉此定位故障點(diǎn)(熱點(diǎn)、亮點(diǎn)Hot Spot)位置,同時(shí)利用故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的時(shí)間差,即能預(yù)估芯片故障點(diǎn)的深度位置。
應(yīng)用領(lǐng)域范圍:
集成電路、分立元器件、晶圓量測、TFT LCD面板產(chǎn)業(yè)、PCB/PCBA產(chǎn)業(yè)。創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室檢測能力優(yōu)勢:
(1)機(jī)臺半自動(dòng)化,分析效率更快;
(2)影像清晰,失效點(diǎn)位置有坐標(biāo)參考位置,定位更精確;
(3)可以對3D封裝 (stacked die)的芯片失效點(diǎn)的深度預(yù)估;
(4)由電氣專業(yè)領(lǐng)域資深工程師分析測試。
設(shè)備測試能力:
1、檢測芯片封裝打線和芯片內(nèi)部線路是否短路;
2、對Probe探針量測晶圓短路的樣品進(jìn)行局部熱點(diǎn)定位,便于CP、3FIB&SEM/EDS測試;
3、介電層 (Oxide)漏電分析;
4、晶體管和二極管的漏電分析;
5、TFT LCD面板&PCB/PCBA的金屬線路是否存在缺陷和短路;
6、ESD 閉鎖效應(yīng);
(1)3D封裝 (Stacked Die)失效點(diǎn)的深度預(yù)估;
(2)芯片未開蓋的故障點(diǎn)的定位偵測;
(3)低阻抗短路(<10ohm)的問題分析。
7、設(shè)備拍照能力:
芯片絲?。涸诘捅堵氏?,可清楚看出芯片表面絲印(Marking)。
實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢:
1、低阻抗失效樣品偵測:
在阻抗極低的短路失效樣品中,利用InGaAs與OBIRCH并無法偵測到亮點(diǎn),但Thermal EMMI可以成功清楚偵測到亮點(diǎn),并且可以量測亮點(diǎn)相對坐標(biāo),便于進(jìn)一步Delayer 或FIB-SEM/TEM分析。
2、芯片可以在非破壞性的條件下偵測到熱點(diǎn):
芯片不需要開蓋(Decap),也可偵測出熱點(diǎn)(亮點(diǎn)Hot Spot),結(jié)合X-ray檢測可以判斷熱點(diǎn)區(qū)域是在裸晶(Die)還是在封裝上。
3、PCB短路偵測:
PCB短路問題也可以偵測到Hot Spot(熱點(diǎn))。
設(shè)備圖片: